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碳化硅器件的优越性
作者 金岭环保
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发布时间 17-08-02
碳化硅是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料，世界各国对SiC的研究非常重视，纷纷投入大量的人力物力积极发展，美国、欧洲、日本等不仅从国家层面上制定了相应的研究规划，而且一些国际电子业剧透也都投入巨资发展碳化硅半导体器件。
与普通硅相比，采用碳化硅的元器件有如下特性：
高压特性：
1、 碳化硅器件是同等硅器件耐压的10倍；
2、 碳化硅肖特基管耐压可到2400V；
3、 碳化硅场效应管耐压可达数万伏，且通态电阻并不很大。
高温特性：
在Si材料已经接近理论性能极限的今天，SiC功率器件因其高耐压、低损耗、高效率等特性，一直被视为“理想器件”而备受期待。
相对于以往的Si材质器件，SiC功率器件在性能与成本间的平衡以及其对高工艺的需求，将成为SiC功率器件能否真正普及的关键。
目前，低功耗的碳化硅器件已经从实验室进入实用器件生产阶段。目前碳化硅圆片的价格比较高，其缺陷也多，其市场应用还不是很成熟。
