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碳化硅原材料成为第三代半导体材料主攻手
作者 金岭环保
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发布时间 17-10-24
由中国科学院物理研究所研究院陈博士研究组与北京天科合达蓝光半导体有限公司合作，解决了6英寸扩径技术和晶片加工技术，成功研制出了6英寸碳化硅单晶衬底。
从2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅单晶衬底，足足花费了十多年时间，在国内率先实现了碳化硅单晶衬底自主研发和产业化。
至今，碳化硅的使用除了在一些简单工件的加工领域具有突出性，在高亮度LED、店里电子以及先进雷达、家电市场等领域也充分占据主导地位，为我们国家工业发展的自己创新和产业化之路带来新的时代。
由此，我公司所生产出的碳化硅，不论从质量粒度，都可根据客户需求从质量、产量上大大助力客户生产，我们要有自己的自主创新产品，让国外知道碳化硅晶片不再是国外垄断技术，我们是中国制造。
